Lihat sumber Proses 5 nm

Dalam [[fabrikasi semikonduktor]], dalam Peta Jalan Perangkat dan Sistem Internasional mendefinisikan proses 5&nbsp;nm sebagai simpul teknologi [[MOSFET]] setelah simpul [[Proses 7 nm|7 nm]]. Pada tahun 2020, [[Samsung]] dan [[TSMC]] memulai produksi chip 5&nbsp;nm, untuk produk seperti [[Apple Inc.|Apple]], [[Marvell Technology Group|Marvell]], [[Huawei]], dan [[Qualcomm]].

Istilah "5 nm" tidak ada hubungannya dengan ukuran dari dari [[transistor]] atau bagian transistor yang berukuran 5 nanometer. Menurut proyeksi yang terdapat dalam Peta Jalan Perangkat dan Sistem Internasional pada tahun 2021 yang diterbitkan oleh [[Institute of Electrical and Electronics Engineers|IEEE]] Standards Association Industry Connection, "node 5 nm diharapkan memiliki pitch gerbang yang dihubungi sebesar 51 [[nanometer]] dan [[Koreksi pitch|pitch]] logam paling rapat sebesar 30 nanometer" Namun, dalam praktik komersial dunia nyata, "5 nm" digunakan terutama sebagai istilah pemasaran oleh masing-masing produsen microchip untuk merujuk pada generasi baru chip [[semikonduktor]] yang lebih baik dalam hal [[kepadatan transistor]] yang meningkat, peningkatan kecepatan dan pengurangan konsumsi daya dibandingkan dengan pendahulunya, [[proses 7 nm]].

==Sejarah==
[[Efek terowongan]] kuantum melalui gerbang lapisan oksida pada transistor 7&nbsp;nm dan 5&nbsp;nm menjadi semakin sulit untuk diatur menggunakan proses semikonduktor yang ada. Perangkat transistor tunggal di bawah 7&nbsp;nm pertama kali ditunjukkan oleh para peneliti di awal tahun 2000-an. Pada tahun 2002, tim riset IBM yaitu Bruce Doris, Omer Dokumaci, Meikei Ieong dan Anda Mocuta membuat MOSFET [[silikon-on-insulator]] (SOI) berukuran 6 nanometer.

Pada tahun 2003, tim peneliti Jepang di [[NEC]], dipimpin oleh Hitoshi Wakabayashi dan Shigeharu Yamagami, membuat MOSFET 5&nbsp;nm pertama. Pada 2015, IMEC dan Cadence telah membuat chip uji 5&nbsp;nm. Chip uji fabrikasi bukanlah perangkat yang berfungsi penuh melainkan untuk mengevaluasi pola lapisan [[interkoneksi]]. Pada tahun 2015, [[Intel]] melaporkan konsep [[Transistor efek–medan|FET]] kabel nano lateral (atau gate-all-around) untuk node 5&nbsp;nm.

Pada tahun 2017, [[IBM]] mengungkapkan bahwa mereka telah membuat chip silikon 5&nbsp;nm, menggunakan lembaran nano [[silikon]] dalam konfigurasi [[gate-all-around]] (GAAFET), pengembangan dari desain terdahulu FinFET. Transistor GAAFET yang digunakan memiliki 3 lembar nano yang ditumpuk, seperti halnya pada desian FinFET yang memiliki beberapa sirip fisik berdampingan yang secara elektrik dianggap satu unit. Chip IBM berukuran 50 mm2 dan memiliki 600 juta transistor per mm2, dengan total 30 miliar transistor (1667&nbsp;nm 2 per transistor, jarak antar transistor 41&nbsp;nm).

== Proses node "5&nbsp;nm" ==


== Proses node 4 nm ==


==Generasi setelah 5 nm==

3&nbsp;nm (3-nanometer) adalah istilah biasa untuk generasi setelah proses 5&nbsp;nm. Pada tahun 2021, TSMC berencana untuk mengkomersialkan simpul 3&nbsp;nm, sementara Samsung dan Intel memiliki berencana tahun 2023.

== Lihat pula ==
* [[International Technology Roadmap for Semiconductors]]
* [[Fabrikasi semikonduktor]]
* [[Fotolitografi]]
* [[Litografi ultraviolet ekstrem]]
* [[Litografi rendam]]
* [[ASML Holding]] pemasok sistem [[fotolitografi]] terbesar, terutama untuk industri [[semikonduktor]].
* [[Semiconductor Equipment and Materials International|SEMI]] — The semiconductor industry trade association
* [[Sirkuit terpadu]]
* [[MOSFET]]
* [[Transistor]]
* [[Semikonduktor]]
* [[Nanometer]]

==Referensi==

== Pranala luar ==
* [https://en.wikichip.org/wiki/5_nm_lithography_process 5 nm lithography process]



== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Proses+5+nm&oldid=29454919 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29454919 (2026-07-13T23:50:28Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.