Lihat sumber Oksidasi lokal silikon

'''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''.

Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]].

== Lihat pula ==
* [[Litografi ultraviolet ekstrem]]

== Referensi ==



== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.