Aluminium galium arsenida - Riwayat revisi

Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

2026-08-30T04:15:28Z

Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

← Revisi sebelumnya		Revisi per 30 Agustus 2026 04.15
Baris 11:		Baris 11:
	Ia umumnya digunakan dalam [[dioda laser]] heterostruktur-ganda yang memancarkan [[merah]] dan [[inframerah]]-dekat (700–1100 nm) berbasis [[Galium arsenida\|GaAs]].		Ia umumnya digunakan dalam [[dioda laser]] heterostruktur-ganda yang memancarkan [[merah]] dan [[inframerah]]-dekat (700–1100 nm) berbasis [[Galium arsenida\|GaAs]].
	==Aspek keamanan dan toksisitas==		==Aspek keamanan dan toksisitas==
	Toksikologi AlGaAs belum sepenuhnya diselidiki. Debunya dapat mengiritasi kulit, mata, dan paru-paru. Aspek [[lingkungan, kesehatan dan keselamatan]] dari berbagai sumber aluminium galium arsenida (seperti [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]) dan penelitian pemantauan kebersihan industri dari sumber [[Epitaksi fase uap metalorganik\|MOVPE]] standar telah dilaporkan dalam sebuah tinjauan baru-baru ini.		Toksikologi AlGaAs belum sepenuhnya diselidiki. Debunya dapat mengiritasi kulit, mata, dan paru-paru. Aspek [[lingkungan, kesehatan dan keselamatan]] dari berbagai sumber aluminium galium arsenida (seperti [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]) dan penelitian pemantauan kebersihan industri dari sumber [[Epitaksi fase uap metalorganik\|MOVPE]] standar telah dilaporkan dalam sebuah tinjauan baru-baru ini.<ref>Shenai-Khatkhate, D. V. ''Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors''. ''Journal of Crystal Growth''. 2004. Vol. 272 (1–4). hlm. 816–821. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.</ref>
	~~==Referensi==~~

	==Pranala luar==		==Pranala luar==
	*		*

			== Referensi ==
			<references />

	== Sumber dan atribusi ==		== Sumber dan atribusi ==

	Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Aluminium+galium+arsenida&oldid=23840386 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 23840386 (2023-07-12T10:07:20Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.		Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Aluminium+galium+arsenida&oldid=23840386 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 23840386 (2023-07-12T10:07:20Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.

			<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 -->

Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 23840386; atribusi sumber disertakan.

2026-08-30T03:53:46Z

Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 23840386; atribusi sumber disertakan.

Halaman baru

'''Aluminium galium arsenida''' (juga '''galium aluminium arsenida''') ([[Aluminium|Al]]<sub>x</sub>[[galium|Ga]]<sub>1−x</sub>[[arsen|As]]) adalah sebuah [[semikonduktor|bahan semikonduktor]] dengan [[konstanta kisi]] yang hampir sama dengan [[Galium arsenida|GaAs]], tetapi dengan [[celah pita]] yang lebih besar. ''x'' dalam rumus di atas adalah angka antara 0 dan 1 - ini menunjukkan adanya [[logam paduan|paduan]] arbitrer antara [[Galium arsenida|GaAs]] dan [[Aluminium arsenida|AlAs]].

Rumus kimia ''AlGaAs'' harus dianggap sebagai bentuk singkatan di atas, daripada rasio tertentu.

Celah pitanya bervariasi antara 1,42 [[Elektronvolt|eV]] (GaAs) dan 2,16 eV (AlAs). Untuk x < 0,4, [[Celah pita langsung dan tidak langsung|celah pitanya langsung]].

[[Indeks bias]]nya memiliki kaitan dengan celah pita melalui [[hubungan Kramers–Kronig]] dan bervariasi antara 2,9 (x = 1) dan 3,5 (x = 0). Hal ini memungkinkan konstruksi [[cermin dielektrik|cermin Bragg]] yang digunakan dalam [[VCSEL]], [[RCLED]], dan pelapis kristalin yang ditransfer substrat.

Aluminium galium arsenida digunakan sebagai bahan penghalang dalam perangkat heterostruktur berbasis GaAs. Lapisan AlGaAs membatasi elektron ke wilayah galium arsenida. Salah satu contoh perangkat semacam itu adalah fotodetektor inframerah sumur kuantum ([[QWIP]]).

Ia umumnya digunakan dalam [[dioda laser]] heterostruktur-ganda yang memancarkan [[merah]] dan [[inframerah]]-dekat (700–1100 nm) berbasis [[Galium arsenida|GaAs]].
==Aspek keamanan dan toksisitas==
Toksikologi AlGaAs belum sepenuhnya diselidiki. Debunya dapat mengiritasi kulit, mata, dan paru-paru. Aspek [[lingkungan, kesehatan dan keselamatan]] dari berbagai sumber aluminium galium arsenida (seperti [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]) dan penelitian pemantauan kebersihan industri dari sumber [[Epitaksi fase uap metalorganik|MOVPE]] standar telah dilaporkan dalam sebuah tinjauan baru-baru ini.
==Referensi==

==Pranala luar==
*

== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Aluminium+galium+arsenida&oldid=23840386 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 23840386 (2023-07-12T10:07:20Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.