Galium arsenida - Riwayat revisi

Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

2026-08-27T13:58:48Z

Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

← Revisi sebelumnya		Revisi per 27 Agustus 2026 13.58
Baris 1:		Baris 1:
			[[File:Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png\|thumb\|right\|280px\|Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls]]

	'''Galium arsenida''' ('''GaAs''') adalah [[Senyawa kimia\|senyawa]] dari unsur-unsur [[galium]] dan [[arsen]]ik. Ini adalah [[semikonduktor]] [[III-V]] [[Gap band langsung\|celah pita]] [[Gap band langsung\|langsung]] dengan struktur kristal [[Sistem kristal kubik\|seng blende]].		'''Galium arsenida''' ('''GaAs''') adalah [[Senyawa kimia\|senyawa]] dari unsur-unsur [[galium]] dan [[arsen]]ik. Ini adalah [[semikonduktor]] [[III-V]] [[Gap band langsung\|celah pita]] [[Gap band langsung\|langsung]] dengan struktur kristal [[Sistem kristal kubik\|seng blende]].

Baris 8:		Baris 10:
	Di dalam senyawa, galium memiliki tingkat [[Bilangan oksidasi\|oksidasi]] +3. [[Kristal tunggal]] Galium arsenida dapat disiapkan oleh tiga proses industri:		Di dalam senyawa, galium memiliki tingkat [[Bilangan oksidasi\|oksidasi]] +3. [[Kristal tunggal]] Galium arsenida dapat disiapkan oleh tiga proses industri:

	* Proses pembekuan gradien vertikal (VGF) (kebanyakan wafer GaAs diproduksi menggunakan proses ini).		* Proses pembekuan gradien vertikal (VGF) (kebanyakan wafer GaAs diproduksi menggunakan proses ini).<ref>Scheel, Hans J. [https://archive.org/details/crystalgrowthtec0000sche Crystal Growth Technology]. Wiley. 2003. ISBN 978-0471490593.</ref>
	* Pertumbuhan kristal menggunakan tungku zona horizontal dalam [[teknik Bridgman-Stockbarger]], di mana galium dan arsenik bereaksi, dan molekul-molekul bebas mengendap pada biji kristal di ujung tungku yang lebih dingin.		* Pertumbuhan kristal menggunakan tungku zona horizontal dalam [[teknik Bridgman-Stockbarger]], di mana galium dan arsenik bereaksi, dan molekul-molekul bebas mengendap pada biji kristal di ujung tungku yang lebih dingin.
	* Pertumbuhan [[Proses Czochralski\|Czochralski]] enkapsulasi cair (LEC) digunakan untuk menghasilkan kristal tunggal dengan kemurnian tinggi yang dapat menunjukkan karakteristik semi-isolasi (lihat di bawah).		* Pertumbuhan [[Proses Czochralski\|Czochralski]] enkapsulasi cair (LEC) digunakan untuk menghasilkan kristal tunggal dengan kemurnian tinggi yang dapat menunjukkan karakteristik semi-isolasi (lihat di bawah).

	Metode alternatif untuk memproduksi film GaAs meliputi:		Metode alternatif untuk memproduksi film GaAs meliputi:<ref>Moss, S. J. ''The Chemistry of the Semiconductor Industry''. Springer. 1987. ISBN 978-0-216-92005-7.</ref><ref>Smart, Lesley. ''Solid State Chemistry: An Introduction''. CRC Press. 2005. ISBN 978-0-7487-7516-3.</ref>

	* Reaksi [[Pengendapan uap kimia\|VPE]] dari gas logam galium dan [[arsenik triklorida]]: 2 Ga + 2 → 2 GaAs + 3		* Reaksi [[Pengendapan uap kimia\|VPE]] dari gas logam galium dan [[arsenik triklorida]]: 2 Ga + 2 → 2 GaAs + 3
	* Reaksi [[MOCVD]] [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]: + → GaAs + 3		* Reaksi [[MOCVD]] [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]: + → GaAs + 3
	* [[Epitaksi berkas molekul\|Molekul balok epitaksi]] (MBE) dari [[galium]] dan [[arsen]]ik: 4 Ga + → 4 GaAs atau 2 Ga + → 2 GaAs		* [[Epitaksi berkas molekul\|Molekul balok epitaksi]] (MBE) dari [[galium]] dan [[arsen]]ik: 4 Ga + → 4 GaAs atau 2 Ga + → 2 GaAs

Baris 24:		Baris 26:

	=== Punar (''etching'') ===		=== Punar (''etching'') ===
	Pemunaran basah GaAs secara industri menggunakan agen pengoksidasi seperti [[hidrogen peroksida]] atau air [[bromin]] dan strategi yang sama telah dijelaskan dalam paten yang berkaitan dengan pemrosesan komponen sisa yang mengandung GaAs di mana dikomplekskan dengan [[asam hidroksamat]] ("HA"), misalnya:		Pemunaran basah GaAs secara industri menggunakan agen pengoksidasi seperti [[hidrogen peroksida]] atau air [[bromin]] <ref>Brozel, M. R. ''Properties of Gallium Arsenide''. IEEE Inspec. 1996. ISBN 978-0-85296-885-7.</ref> dan strategi yang sama telah dijelaskan dalam paten yang berkaitan dengan pemrosesan komponen sisa yang mengandung GaAs di mana dikomplekskan dengan [[asam hidroksamat]] ("HA"), misalnya:

	* GaAs + + kompleks "HA" → "GaA" + + 4		* GaAs + + kompleks "HA" → "GaA" + + 4

	Reaksi ini menghasilkan [[Asam arsenat\|asam arsenik]].		Reaksi ini menghasilkan [[Asam arsenat\|asam arsenik]].

	== Elektronika ==		== Elektronika ==

	=== Logika digitas GaAs ===		=== Logika digitas GaAs ===
	GaAs dapat digunakan untuk berbagai jenis transistor:		GaAs dapat digunakan untuk berbagai jenis transistor:<ref>Dennis Fisher. [https://books.google.com/books?id=KSKJ56kvcSYC&q=source-coupled-fet-logic&pg=PA61 Gallium Arsenide IC Applications Handbook]. Elsevier. 1995. Vol. 1. hlm. 61. ISBN 978-0-12-257735-2. 'Clear search' to see pages</ref>

	* [[Transistor efek medan semikonduktor-logam\|Transistor efek medan logam-semikonduktor]] (MESFET)		* [[Transistor efek medan semikonduktor-logam\|Transistor efek medan logam-semikonduktor]] (MESFET)
Baris 41:		Baris 42:
	* [[MOSFET\|Transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor]] (MOSFET)		* [[MOSFET\|Transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor]] (MOSFET)

	HBT dapat digunakan dalam [[logika injeksi terintegrasi]] (I<sup>2</sup>L). Gerbang logika GaAs paling awal menggunakan [[Buffered FET Logic]] (BFL).		HBT dapat digunakan dalam [[logika injeksi terintegrasi]] (I<sup>2</sup>L). Gerbang logika GaAs paling awal menggunakan [[Buffered FET Logic]] (BFL).<ref>Dennis Fisher. [https://books.google.com/books?id=KSKJ56kvcSYC&q=source-coupled-fet-logic&pg=PA61 Gallium Arsenide IC Applications Handbook]. Elsevier. 1995. Vol. 1. hlm. 61. ISBN 978-0-12-257735-2. 'Clear search' to see pages</ref>

	Dari 1975 hingga 1995 keluarga logika utama yang digunakan adalah:		Dari 1975 hingga 1995 keluarga logika utama yang digunakan adalah:
Baris 50:		Baris 51:

	=== Perbandingan dengan silikon untuk elektronika ===		=== Perbandingan dengan silikon untuk elektronika ===

	==== Keunggulan GaAs ====		==== Keunggulan GaAs ====
	Beberapa sifat elektronik galium arsenida lebih unggul dari [[silikon]]. Senyawa ini memiliki [[Kecepatan saturasi\|kecepatan elektron jenuh]] dan [[mobilitas elektron]] yang lebih tinggi, memungkinkan transistor galium arsenida berfungsi pada frekuensi lebih dari 250 GHz. Perangkat GaAs relatif tidak sensitif terhadap panas berlebih, karena celah pita energinya yang lebih luas, dan juga cenderung membuat lebih sedikit [[Kebisingan (fisika)\|derau]] (gangguan pada sinyal listrik) di sirkuit elektronik daripada perangkat silikon, terutama pada frekuensi tinggi. Ini adalah hasil dari mobilitas pembawa yang lebih tinggi dan parasitik perangkat resistif yang lebih rendah. Sifat superior ini merupakan alasan kuat untuk menggunakan sirkuit GaAs di [[Telepon genggam\|ponsel]], komunikasi [[Satelit komunikasi\|satelit]], tautan titik-ke-titik gelombang mikro dan sistem [[radar]] frekuensi tinggi. Ini juga digunakan dalam pembuatan [[Diode gunn\|dioda Gunn]] untuk pembuatan [[gelombang mikro]].		Beberapa sifat elektronik galium arsenida lebih unggul dari [[silikon]]. Senyawa ini memiliki [[Kecepatan saturasi\|kecepatan elektron jenuh]] dan [[mobilitas elektron]] yang lebih tinggi, memungkinkan transistor galium arsenida berfungsi pada frekuensi lebih dari 250 GHz. Perangkat GaAs relatif tidak sensitif terhadap panas berlebih, karena celah pita energinya yang lebih luas, dan juga cenderung membuat lebih sedikit [[Kebisingan (fisika)\|derau]] (gangguan pada sinyal listrik) di sirkuit elektronik daripada perangkat silikon, terutama pada frekuensi tinggi. Ini adalah hasil dari mobilitas pembawa yang lebih tinggi dan parasitik perangkat resistif yang lebih rendah. Sifat superior ini merupakan alasan kuat untuk menggunakan sirkuit GaAs di [[Telepon genggam\|ponsel]], komunikasi [[Satelit komunikasi\|satelit]], tautan titik-ke-titik gelombang mikro dan sistem [[radar]] frekuensi tinggi. Ini juga digunakan dalam pembuatan [[Diode gunn\|dioda Gunn]] untuk pembuatan [[gelombang mikro]].
Baris 60:		Baris 60:
	Karena memiliki celah pita yang lebar, GaAs murni sangat resistif. Dikombinasikan dengan [[konstanta dielektrik]] yang tinggi, properti ini menjadikan GaAs sebagai substrat yang sangat baik untuk [[sirkuit terpadu]] dan tidak seperti Si, GaAs menyediakan isolasi alami antara perangkat dan sirkuit. Ini telah membuatnya menjadi bahan yang ideal untuk [[sirkuit terpadu microwave monolitik]] (MMIC), di mana komponen pasif aktif dan esensial dapat dengan mudah diproduksi pada satu irisan GaAs.		Karena memiliki celah pita yang lebar, GaAs murni sangat resistif. Dikombinasikan dengan [[konstanta dielektrik]] yang tinggi, properti ini menjadikan GaAs sebagai substrat yang sangat baik untuk [[sirkuit terpadu]] dan tidak seperti Si, GaAs menyediakan isolasi alami antara perangkat dan sirkuit. Ini telah membuatnya menjadi bahan yang ideal untuk [[sirkuit terpadu microwave monolitik]] (MMIC), di mana komponen pasif aktif dan esensial dapat dengan mudah diproduksi pada satu irisan GaAs.

	Salah satu [[mikroprosesor]] GaAs pertama dikembangkan pada awal 1980-an oleh [[RCA]] dan dipertimbangkan untuk program [[Strategic Defense Initiative\|Star Wars]] dari [[Kementerian Pertahanan Amerika Serikat\|Departemen Pertahanan Amerika Serikat]]. Prosesor ini beberapa kali lebih cepat dan beberapa kali lipat lebih [[Pengerasan radiasi\|tahan radiasi]] daripada prosesor silikon, tetapi lebih mahal. Prosesor GaAs lainnya diimplementasikan oleh vendor [[superkomputer]] [[Cray Computer\|Cray Computer Corporation]], [[Komputer Cembung\|Convex]], dan [[Sistem Komputer Alliant\|Alliant]] dalam upaya untuk tetap berada di depan mikroprosesor [[CMOS\|CMOS yang terus berkembang.]] Cray akhirnya membangun satu mesin berbasis GaAs pada awal 1990-an, [[Cray-3]], tetapi usaha itu tidak sukses dan perusahaan tersebut mengajukan kebangkrutan pada tahun 1995.		Salah satu [[mikroprosesor]] GaAs pertama dikembangkan pada awal 1980-an oleh [[RCA]] dan dipertimbangkan untuk program [[Strategic Defense Initiative\|Star Wars]] dari [[Kementerian Pertahanan Amerika Serikat\|Departemen Pertahanan Amerika Serikat]]. Prosesor ini beberapa kali lebih cepat dan beberapa kali lipat lebih [[Pengerasan radiasi\|tahan radiasi]] daripada prosesor silikon, tetapi lebih mahal.<ref>Šilc, Von Jurij. [https://archive.org/details/processorarchite0000silc Processor architecture: from dataflow to superscalar and beyond]. Springer. 1999. hlm. [https://archive.org/details/processorarchite0000silc/page/34 34]. ISBN 978-3-540-64798-0.</ref> Prosesor GaAs lainnya diimplementasikan oleh vendor [[superkomputer]] [[Cray Computer\|Cray Computer Corporation]], [[Komputer Cembung\|Convex]], dan [[Sistem Komputer Alliant\|Alliant]] dalam upaya untuk tetap berada di depan mikroprosesor [[CMOS\|CMOS yang terus berkembang.]] Cray akhirnya membangun satu mesin berbasis GaAs pada awal 1990-an, [[Cray-3]], tetapi usaha itu tidak sukses dan perusahaan tersebut mengajukan kebangkrutan pada tahun 1995.

	Struktur berlapis kompleks dari galium arsenida yang dikombinasikan dengan [[Aluminium arsenide\|aluminium arsenida]] (AlAs) atau logam paduan [[Aluminium gallium arsenide\|Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>As]] dapat ditumbuhkan dengan menggunakan [[epitaksi berkas molekul]] (MBE) atau menggunakan [[epitaksi fase uap metalorganik]] epitaxy (MOVPE). Karena GaAs dan AlAs memiliki [[konstanta kisi]] yang hampir sama, lapisan tersebut memiliki [[Ketegangan (kimia)\|regangan]] induksi sangat sedikit, yang memungkinkan mereka untuk tumbuh hampir secara sembarangan tebal. Hal ini memungkinkan transistor [[Transistor pergerakan-elektron tinggi\|HEMT]] berkinerja sangat tinggi dan mobilitas elektron tinggi [[Sumur kuantum\|serta perangkat sumur kuantum]] lainnya.		Struktur berlapis kompleks dari galium arsenida yang dikombinasikan dengan [[Aluminium arsenide\|aluminium arsenida]] (AlAs) atau logam paduan [[Aluminium gallium arsenide\|Al<sub>x</sub>Ga<sub>1−x</sub>As]] dapat ditumbuhkan dengan menggunakan [[epitaksi berkas molekul]] (MBE) atau menggunakan [[epitaksi fase uap metalorganik]] epitaxy (MOVPE). Karena GaAs dan AlAs memiliki [[konstanta kisi]] yang hampir sama, lapisan tersebut memiliki [[Ketegangan (kimia)\|regangan]] induksi sangat sedikit, yang memungkinkan mereka untuk tumbuh hampir secara sembarangan tebal. Hal ini memungkinkan transistor [[Transistor pergerakan-elektron tinggi\|HEMT]] berkinerja sangat tinggi dan mobilitas elektron tinggi [[Sumur kuantum\|serta perangkat sumur kuantum]] lainnya.
Baris 67:		Baris 67:

	== Lihat pula ==		== Lihat pula ==

	* [[Aluminium arsenida]]		* [[Aluminium arsenida]]
	* [[Aluminium galium arsenida]]		* [[Aluminium galium arsenida]]
Baris 76:		Baris 75:

	== Referensi ==		== Referensi ==
			<references />

			== Sumber dan atribusi ==

	*		Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium+arsenida&oldid=24984982 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 24984982 (2023-12-11T11:35:59Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.
	*
	*



	== ~~Sumber~~ dan ~~atribusi ==~~

	~~Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium+arsenida&oldid=24984982 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 24984982 (2023~~-12-~~11T11:35:59Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi~~-~~BerbagiSerupa (CC BY~~-~~SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.~~		<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 -->

Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 24984982; atribusi sumber disertakan.

2026-08-27T13:20:08Z

Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 24984982; atribusi sumber disertakan.

Halaman baru

'''Galium arsenida''' ('''GaAs''') adalah [[Senyawa kimia|senyawa]] dari unsur-unsur [[galium]] dan [[arsen]]ik. Ini adalah [[semikonduktor]] [[III-V]] [[Gap band langsung|celah pita]] [[Gap band langsung|langsung]] dengan struktur kristal [[Sistem kristal kubik|seng blende]].

Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti [[Sirkuit terpadu|sirkuit terintegrasi]] frekuensi [[Gelombang mikro|gelombang]] [[Sirkuit terpadu microwave monolitik|mikro]], [[sirkuit terpadu gelombang mikro monolitik]], [[Diode pancaran cahaya|dioda pemancar cahaya]] [[inframerah]], [[Diode laser|dioda laser]], [[sel surya]] dan jendela optik.

GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk [[indium galium arsenida]], [[aluminium galium arsenida]] dan lain-lain.

== Penyiapan dan sifat kimia ==
Di dalam senyawa, galium memiliki tingkat [[Bilangan oksidasi|oksidasi]] +3. [[Kristal tunggal]] Galium arsenida dapat disiapkan oleh tiga proses industri:

* Proses pembekuan gradien vertikal (VGF) (kebanyakan wafer GaAs diproduksi menggunakan proses ini).
* Pertumbuhan kristal menggunakan tungku zona horizontal dalam [[teknik Bridgman-Stockbarger]], di mana galium dan arsenik bereaksi, dan molekul-molekul bebas mengendap pada biji kristal di ujung tungku yang lebih dingin.
* Pertumbuhan [[Proses Czochralski|Czochralski]] enkapsulasi cair (LEC) digunakan untuk menghasilkan kristal tunggal dengan kemurnian tinggi yang dapat menunjukkan karakteristik semi-isolasi (lihat di bawah).

Metode alternatif untuk memproduksi film GaAs meliputi:

* Reaksi [[Pengendapan uap kimia|VPE]] dari gas logam galium dan [[arsenik triklorida]]: 2 Ga + 2 → 2 GaAs + 3
* Reaksi [[MOCVD]] [[trimetilgalium]] dan [[arsina]]: + → GaAs + 3
* [[Epitaksi berkas molekul|Molekul balok epitaksi]] (MBE) dari [[galium]] dan [[arsen]]ik: 4 Ga + → 4 GaAs atau 2 Ga + → 2 GaAs

Oksidasi GaAs terjadi di udara, menurunkan kinerja semikonduktor. Permukaan dapat dipasivasi dengan mendepositkan lapisan kubus [[Gallium (II) sulfida|sulfat]] [[Galium (II) sulfida|galium (II)]] menggunakan senyawa tert-butil gallium sulfida seperti (.

=== Kristal semi isolasi ===
Dengan adanya arsenik berlebih, [[Boule (kristal)|boule]] GaAs ditumbuhkan dengan [[Cacat kristalografi|kecacatan kristalografi]]; khususnya, cacat antisit arsenik (sebuah atom arsenik di dalam sebuah situs atom galium dalam kisi kristal). Sifat elektronik dari kecacatan ini (berinteraksi dengan kisi lainnya) menyebabkan [[Aras Fermi|level Fermi]] [[Penyematan level Fermi|disematkan]] di dekat pusat celah pita, sehingga kristal GaAs ini memiliki konsentrasi elektron dan lubang yang sangat rendah. Konsentrasi pembawa rendah ini mirip dengan kristal intrinsik (tidak terdadah sempurna), tetapi jauh lebih mudah dicapai dalam praktiknya. Kristal ini disebut "semiisolasi", yang mencerminkan resistivitas tinggi dari 107-109 Ω·cm (yang cukup tinggi untuk semikonduktor, tapi masih jauh lebih rendah dari isolator sesungguhnya seperti kaca).

=== Punar (''etching'') ===
Pemunaran basah GaAs secara industri menggunakan agen pengoksidasi seperti [[hidrogen peroksida]] atau air [[bromin]] dan strategi yang sama telah dijelaskan dalam paten yang berkaitan dengan pemrosesan komponen sisa yang mengandung GaAs di mana dikomplekskan dengan [[asam hidroksamat]] ("HA"), misalnya:

* GaAs + + kompleks "HA" → "GaA" + + 4

Reaksi ini menghasilkan [[Asam arsenat|asam arsenik]].

== Elektronika ==

=== Logika digitas GaAs ===
GaAs dapat digunakan untuk berbagai jenis transistor:

* [[Transistor efek medan semikonduktor-logam|Transistor efek medan logam-semikonduktor]] (MESFET)
* [[Transistor pergerakan-elektron tinggi|Transistor mobilitas elektron tinggi]] (HEMT)
* [[Transistor efek medan sambungan|Transistor efek medan persimpangan]] (JFET)
* [[Transistor bipolar hetero]] (HBT)
* [[MOSFET|Transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor]] (MOSFET)

HBT dapat digunakan dalam [[logika injeksi terintegrasi]] (I2L). Gerbang logika GaAs paling awal menggunakan [[Buffered FET Logic]] (BFL).

Dari 1975 hingga 1995 keluarga logika utama yang digunakan adalah:

* [[Logika FET sumber-digabungkan|Source-coupled FET logic]] (SCFL) tercepat dan paling kompleks, (digunakan oleh TriQuint & Vitesse)
* [[Logika FET kapasitor-dioda|Capacitor – diode FET logic]] (CDFL) (digunakan oleh Cray)
* [[Logika FET direct-coupled|Direct-coupled FET logic]] (DCFL) daya paling sederhana dan terendah (digunakan oleh Vitesse untuk array gerbang VLSI)

=== Perbandingan dengan silikon untuk elektronika ===

==== Keunggulan GaAs ====
Beberapa sifat elektronik galium arsenida lebih unggul dari [[silikon]]. Senyawa ini memiliki [[Kecepatan saturasi|kecepatan elektron jenuh]] dan [[mobilitas elektron]] yang lebih tinggi, memungkinkan transistor galium arsenida berfungsi pada frekuensi lebih dari 250 GHz. Perangkat GaAs relatif tidak sensitif terhadap panas berlebih, karena celah pita energinya yang lebih luas, dan juga cenderung membuat lebih sedikit [[Kebisingan (fisika)|derau]] (gangguan pada sinyal listrik) di sirkuit elektronik daripada perangkat silikon, terutama pada frekuensi tinggi. Ini adalah hasil dari mobilitas pembawa yang lebih tinggi dan parasitik perangkat resistif yang lebih rendah. Sifat superior ini merupakan alasan kuat untuk menggunakan sirkuit GaAs di [[Telepon genggam|ponsel]], komunikasi [[Satelit komunikasi|satelit]], tautan titik-ke-titik gelombang mikro dan sistem [[radar]] frekuensi tinggi. Ini juga digunakan dalam pembuatan [[Diode gunn|dioda Gunn]] untuk pembuatan [[gelombang mikro]].

Keuntungan lain dari GaAs adalah memiliki [[Gap band langsung|celah pita langsung]], yang berarti dapat digunakan untuk menyerap dan memancarkan cahaya secara efisien. Silikon memiliki [[celah pita tidak langsung]] dan relatif buruk dalam memancarkan cahaya.

Sebagai meterial celah pita lebar langsung dengan resistensi yang dihasilkan terhadap kerusakan radiasi, GaAs adalah meterial yang sangat baik untuk elektronik luar angkasa dan jendela optik dalam aplikasi berdaya tinggi.

Karena memiliki celah pita yang lebar, GaAs murni sangat resistif. Dikombinasikan dengan [[konstanta dielektrik]] yang tinggi, properti ini menjadikan GaAs sebagai substrat yang sangat baik untuk [[sirkuit terpadu]] dan tidak seperti Si, GaAs menyediakan isolasi alami antara perangkat dan sirkuit. Ini telah membuatnya menjadi bahan yang ideal untuk [[sirkuit terpadu microwave monolitik]] (MMIC), di mana komponen pasif aktif dan esensial dapat dengan mudah diproduksi pada satu irisan GaAs.

Salah satu [[mikroprosesor]] GaAs pertama dikembangkan pada awal 1980-an oleh [[RCA]] dan dipertimbangkan untuk program [[Strategic Defense Initiative|Star Wars]] dari [[Kementerian Pertahanan Amerika Serikat|Departemen Pertahanan Amerika Serikat]]. Prosesor ini beberapa kali lebih cepat dan beberapa kali lipat lebih [[Pengerasan radiasi|tahan radiasi]] daripada prosesor silikon, tetapi lebih mahal. Prosesor GaAs lainnya diimplementasikan oleh vendor [[superkomputer]] [[Cray Computer|Cray Computer Corporation]], [[Komputer Cembung|Convex]], dan [[Sistem Komputer Alliant|Alliant]] dalam upaya untuk tetap berada di depan mikroprosesor [[CMOS|CMOS yang terus berkembang.]] Cray akhirnya membangun satu mesin berbasis GaAs pada awal 1990-an, [[Cray-3]], tetapi usaha itu tidak sukses dan perusahaan tersebut mengajukan kebangkrutan pada tahun 1995.

Struktur berlapis kompleks dari galium arsenida yang dikombinasikan dengan [[Aluminium arsenide|aluminium arsenida]] (AlAs) atau logam paduan [[Aluminium gallium arsenide|AlxGa1−xAs]] dapat ditumbuhkan dengan menggunakan [[epitaksi berkas molekul]] (MBE) atau menggunakan [[epitaksi fase uap metalorganik]] epitaxy (MOVPE). Karena GaAs dan AlAs memiliki [[konstanta kisi]] yang hampir sama, lapisan tersebut memiliki [[Ketegangan (kimia)|regangan]] induksi sangat sedikit, yang memungkinkan mereka untuk tumbuh hampir secara sembarangan tebal. Hal ini memungkinkan transistor [[Transistor pergerakan-elektron tinggi|HEMT]] berkinerja sangat tinggi dan mobilitas elektron tinggi [[Sumur kuantum|serta perangkat sumur kuantum]] lainnya.

Kekhawatiran atas kerentanan GaAs terhadap kerusakan akibat panas telah meningkat, tetapi ada spekulasi bahwa produsen tertentu akan mendapat manfaat dari pembatasan tersebut, mengingat [[Keusangan terencana|siklus keusangan yang direncanakan]] yang dirancang untuk diikuti oleh banyak elektronik konsumen.

== Lihat pula ==

* [[Aluminium arsenida]]
* [[Aluminium galium arsenida]]
* [[Galium antimonida]]
* [[Galium nitrida]]
* [[Indium arsenida]]
* [[Kadmium telurida]]

== Referensi ==

*
*
*

== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium+arsenida&oldid=24984982 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 24984982 (2023-12-11T11:35:59Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.