https://wiki.unissula.ac.id/index.php?action=history&feed=atom&title=Oksidasi_lokal_silikon
Oksidasi lokal silikon - Riwayat revisi
2026-09-17T07:51:04Z
Riwayat revisi halaman ini di wiki
MediaWiki 1.46.0
https://wiki.unissula.ac.id/index.php?title=Oksidasi_lokal_silikon&diff=14589&oldid=prev
Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi
2026-08-26T14:00:58Z
<p>Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi</p>
<table style="background-color: #fff; color: #202122;" data-mw-interface="">
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<tr class="diff-title" lang="id">
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">← Revisi sebelumnya</td>
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Revisi per 26 Agustus 2026 14.00</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="mw-diff-left-l1">Baris 1:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Baris 1:</td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>'''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''.</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>'''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''.</div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker" data-marker="−"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]].</div></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]].<ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"><ref>M. Liu. [https://www.researchgate.net/publication/306273009 Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires]. ''Theoretical and Applied Mechanics Letters''. 2016. Vol. 6 (5). hlm. 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.</ref></ins></div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Lihat pula ==</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Lihat pula ==</div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="mw-diff-left-l7">Baris 7:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Baris 7:</td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Referensi ==</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Referensi ==</div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker" data-marker="−"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"><references /></ins></div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker" data-marker="−"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td><td colspan="2" class="diff-side-added"></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Sumber dan atribusi ==</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>== Sumber dan atribusi ==</div></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><br></td></tr>
<tr><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.</div></td><td class="diff-marker"></td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.</div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"></ins></div></td></tr>
<tr><td colspan="2" class="diff-side-deleted"></td><td class="diff-marker" data-marker="+"></td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;"><!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --></ins></div></td></tr>
</table>
Maintenance script
https://wiki.unissula.ac.id/index.php?title=Oksidasi_lokal_silikon&diff=14188&oldid=prev
Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27557476; atribusi sumber disertakan.
2026-08-26T13:22:10Z
<p>Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27557476; atribusi sumber disertakan.</p>
<p><b>Halaman baru</b></p><div>'''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''.<br />
<br />
Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]].<br />
<br />
== Lihat pula ==<br />
* [[Litografi ultraviolet ekstrem]]<br />
<br />
== Referensi ==<br />
<br />
<br />
<br />
== Sumber dan atribusi ==<br />
<br />
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.</div>
Maintenance script