Pengendapan uap kimia - Riwayat revisi

Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

2026-08-28T09:12:15Z

Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

← Revisi sebelumnya		Revisi per 28 Agustus 2026 09.12
Baris 1:		Baris 1:
	'''Pengendapan uap kimia''' ([[bahasa Inggris]]: '''''chemical vapor deposition''''', '''CVD''') adalah proses [[kimia]] untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan ''microsystem''. Dalam proses ini, komponen [[gas]] bereaksi di permukaan [[Wafer (elektronik)\|wafer]] dan membentuk [[Lapisan fisik\|lapisan]] tipis. CVD merupakan metode pengendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas dan berkinerja tinggi. Proses ini sering digunakan dalam industri [[semikonduktor]] untuk menghasilkan [[Teknologi film tipis\|film tipis]].		'''Pengendapan uap kimia''' ([[bahasa Inggris]]: '''''chemical vapor deposition''''', '''CVD''') adalah proses [[kimia]] untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan ''microsystem''. Dalam proses ini, komponen [[gas]] bereaksi di permukaan [[Wafer (elektronik)\|wafer]] dan membentuk [[Lapisan fisik\|lapisan]] tipis. CVD merupakan metode pengendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas dan berkinerja tinggi. Proses ini sering digunakan dalam industri [[semikonduktor]] untuk menghasilkan [[Teknologi film tipis\|film tipis]].<ref>Rad Sadri. [https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0925838820330577 Controlled physical properties and growth mechanism of manganese silicide nanorods]. ''Journal of Alloys and Compounds''. 15 January 2021. Vol. 851. hlm. 156693. doi:10.1016/j.jallcom.2020.156693.</ref>

	Pada CVD, wafer ([[Substrat (kimia)\|substrat]]) akan terpapar pada satu atau lebih [[Prekursor (kimia)\|prekursor]] yang mudah menguap, yang bereaksi dan/atau terurai pada permukaan substrat untuk menghasilkan endapan yang diinginkan. Sering kali, produk sampingan yang mudah menguap juga diproduksi, yang kemudian dihilangkan oleh aliran gas melalui ruang reaksi.		Pada CVD, wafer ([[Substrat (kimia)\|substrat]]) akan terpapar pada satu atau lebih [[Prekursor (kimia)\|prekursor]] yang mudah menguap, yang bereaksi dan/atau terurai pada permukaan substrat untuk menghasilkan endapan yang diinginkan. Sering kali, produk sampingan yang mudah menguap juga diproduksi, yang kemudian dihilangkan oleh aliran gas melalui ruang reaksi.

	Proses mikrofabrikasi banyak menggunakan CVD untuk menyimpan [[Bahan\|material]] dalam berbagai bentuk, antara lain: [[monokristalin]], [[polikristalin]], [[amorf]], dan [[epitaksi]]. Material-material tersebut seperti: [[silikon]] ([[Silikon dioksida\|dioksida]], [[Silikon karbida\|karbida]], [[Silikon nitrida\|nitrida]], oksinitrida), [[karbon]] ([[serat]], serat nano, tabung nano, intan, dan [[Grafena\|graphene]]), [[fluorokarbon]], filamen, [[Wolfram\|tungsten]], [[titanium nitrida]], dan berbagai [[Dielektrik Tinggi-κ\|dielektrik κ tinggi]].		Proses mikrofabrikasi banyak menggunakan CVD untuk menyimpan [[Bahan\|material]] dalam berbagai bentuk, antara lain: [[monokristalin]], [[polikristalin]], [[amorf]], dan [[epitaksi]]. Material-material tersebut seperti: [[silikon]] ([[Silikon dioksida\|dioksida]], [[Silikon karbida\|karbida]], [[Silikon nitrida\|nitrida]], oksinitrida), [[karbon]] ([[serat]], serat nano, tabung nano, intan, dan [[Grafena\|graphene]]), [[fluorokarbon]], filamen, [[Wolfram\|tungsten]], [[titanium nitrida]], dan berbagai [[Dielektrik Tinggi-κ\|dielektrik κ tinggi]].
Baris 13:		Baris 13:

	== Jenis ==		== Jenis ==


	CVD digunakan dalam berbagai cara. Proses ini umumnya berbeda dalam cara di mana reaksi kimia dimulai.		CVD digunakan dalam berbagai cara. Proses ini umumnya berbeda dalam cara di mana reaksi kimia dimulai.
	* Dikelompokkan berdasarkan kondisi pengoperasian:		* Dikelompokkan berdasarkan kondisi pengoperasian:
	** CVD tekanan atmosfer (APCVD) – CVD pada [[tekanan atmosfer]].		** CVD tekanan atmosfer (APCVD) – CVD pada [[tekanan atmosfer]].
	** CVD Tekanan Rendah (LPCVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Pengurangan tekanan cenderung mengurangi reaksi fase gas yang tidak diinginkan dan meningkatkan keseragaman film di seluruh wafer.		** CVD Tekanan Rendah (LPCVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer.<ref>[http://www.crystec.com/klllpcvde.htm Low Pressure Chemical Vapor Deposition – Technology and Equipment]. Crystec Technology Trading GmbH.</ref> Pengurangan tekanan cenderung mengurangi reaksi fase gas yang tidak diinginkan dan meningkatkan keseragaman film di seluruh wafer.
	** Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – CVD pada tekanan sangat rendah, biasanya di bawah 10<sup>−6</sup> [[Pascal (unit)\|Pa]] (≈ 10<sup>−8</sup > [[torr]]).		** Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – CVD pada tekanan sangat rendah, biasanya di bawah 10<sup>−6</sup> [[Pascal (unit)\|Pa]] (≈ 10<sup>−8</sup > [[torr]]).
	** CVD sub-atmosfer (SACVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Menggunakan [[tetraetil ortosilikat]] (TEOS) dan [[ozon]] untuk mengisi struktur Si rasio aspek tinggi dengan [[silikon dioksida]] (SiO<sub>2</sub>).		** CVD sub-atmosfer (SACVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Menggunakan [[tetraetil ortosilikat]] (TEOS) dan [[ozon]] untuk mengisi struktur Si rasio aspek tinggi dengan [[silikon dioksida]] (SiO<sub>2</sub>).<ref>I. A. Shareef. ''Subatmospheric chemical vapor deposition ozone/TEOS process for SiO 2 trench filling''. ''Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena''. 1995-07-01. Vol. 13 (4). hlm. 1888–1892. doi:10.1116/1.587830.</ref>

	== Penggunaan ==		== Penggunaan ==
	CVD umumnya digunakan untuk menyimpan film konformal dan menambah permukaan substrat dengan cara yang tidak mampu dilakukan oleh teknik modifikasi permukaan yang lebih tradisional. CVD sangat berguna dalam proses [[deposisi lapisan atom]] pada pengendapan lapisan material yang sangat tipis. [[Gallium arsenide]] digunakan di beberapa [[sirkuit terintegrasi]] (IC) dan perangkat fotovoltaik. Polisilikon amorf digunakan dalam perangkat fotovoltaik. Penggunaan CVD dengan [[karbida]] dan [[nitrida]] memberikan ketahanan aus. Polymerization by CVD, perhaps the most versatile of all applications, allows for super-thin coatings which possess some very desirable qualities, such as lubricity, hydrophobicity and weather-resistance to name a few. Polimerisasi oleh CVD, mungkin yang paling banyak digunakan, proses ini memungkinkan pelapisan super tipis yang memiliki beberapa kualitas yang sangat diinginkan, seperti pelumasan, hidrofobik, dan tahan cuaca. CVD kerangka logam-organik (MOFs), jenis material nanopori kristal. Baru-baru ini peningkatan pada proses ruang bersih terintegrasi untuk substrat dengan permukaan besar. Teknik CVD juga menguntungkan untuk pelapisan membran, seperti pada desalinasi atau pengolahan air, karena pelapisan ini cukup seragam (konformal) dan tipis sehingga tidak menyumbat pori-pori membran.		CVD umumnya digunakan untuk menyimpan film konformal dan menambah permukaan substrat dengan cara yang tidak mampu dilakukan oleh teknik modifikasi permukaan yang lebih tradisional. CVD sangat berguna dalam proses [[deposisi lapisan atom]] pada pengendapan lapisan material yang sangat tipis. [[Gallium arsenide]] digunakan di beberapa [[sirkuit terintegrasi]] (IC) dan perangkat fotovoltaik. Polisilikon amorf digunakan dalam perangkat fotovoltaik. Penggunaan CVD dengan [[karbida]] dan [[nitrida]] memberikan ketahanan aus.<ref>Wahl, Georg ''et al.'' (2000) "Thin Films" in ''Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry'', Wiley-VCH, Weinheim.</ref> Polymerization by CVD, perhaps the most versatile of all applications, allows for super-thin coatings which possess some very desirable qualities, such as lubricity, hydrophobicity and weather-resistance to name a few.<ref>Karen Gleason. ''Designing polymer surfaces via vapor deposition''. ''Materials Today''. May 2010. Vol. 13 (5). hlm. 26–33. doi:10.1016/S1369-7021(10)70081-X.</ref> Polimerisasi oleh CVD, mungkin yang paling banyak digunakan, proses ini memungkinkan pelapisan super tipis yang memiliki beberapa kualitas yang sangat diinginkan, seperti pelumasan, hidrofobik, dan tahan cuaca.<ref>Karen Gleason. ''Designing polymer surfaces via vapor deposition''. ''Materials Today''. May 2010. Vol. 13 (5). hlm. 26–33. doi:10.1016/S1369-7021(10)70081-X.</ref> CVD kerangka logam-organik (MOFs), jenis material nanopori kristal.<ref>I Stassen. [https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/551545 Chemical vapour deposition of zeolitic imidazolate framework thin films]. ''Nature Materials''. 2015. Vol. 15 (3). hlm. 304–10. doi:10.1038/nmat4509.</ref> Baru-baru ini peningkatan pada proses ruang bersih terintegrasi untuk substrat dengan permukaan besar.<ref>A. Cruz. [https://bib-pubdb1.desy.de/record/426613 Integrated Cleanroom Process for the Vapor-Phase Deposition of Large-Area Zeolitic Imidazolate Framework Thin Films]. ''Chemistry of Materials''. 2019. Vol. 31 (22). hlm. 9462–9471. doi:10.1021/acs.chemmater.9b03435.</ref> Teknik CVD juga menguntungkan untuk pelapisan membran, seperti pada desalinasi atau pengolahan air, karena pelapisan ini cukup seragam (konformal) dan tipis sehingga tidak menyumbat pori-pori membran.<ref>Amelia T. Servi. [http://dspace.mit.edu/bitstream/1721.1/108260/1/The%20effects%20of%20iCVD%20film%20thickness%20and%20conformality%20on%20the%20permeability%20and%20wetting%20of%20MD%20membranes%2c%20Servi%2c%20Dspace.pdf The effects of iCVD film thickness and conformality on the permeability and wetting of MD membranes]. ''Journal of Membrane Science''. 2017. Vol. 523. hlm. 470–479. doi:10.1016/j.memsci.2016.10.008.</ref>

	~~==Referensi==~~


	== Bacaan lebih lanjut ==		== Bacaan lebih lanjut ==
			*
	*		*
	*		*
	*
	* Okada K. (2007). "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" [https://dx.doi.org/10.1016/j.stam.2007.08.008 Sci. Technol. Adv. Mater. 8, 624] ''free-download review''		* Okada K. (2007). "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" [https://dx.doi.org/10.1016/j.stam.2007.08.008 Sci. Technol. Adv. Mater. 8, 624] ''free-download review''
	* Liu T., Raabe D. and Zaefferer S. (2008). "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" [https://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/3/035013 Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013] ''free-download''		* Liu T., Raabe D. and Zaefferer S. (2008). "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" [https://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/3/035013 Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013] ''free-download''
Baris 38:		Baris 32:
	* Hess, Dennis W. (1988). [https://apps.dtic.mil/sti/pdfs/ADA204709.pdf Chemical vapor deposition of dielectric and metal films] . ''Free-download'' from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM International).		* Hess, Dennis W. (1988). [https://apps.dtic.mil/sti/pdfs/ADA204709.pdf Chemical vapor deposition of dielectric and metal films] . ''Free-download'' from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM International).

			== Referensi ==
			<references />

	== Sumber dan atribusi ==		== Sumber dan atribusi ==

	Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Pengendapan+uap+kimia&oldid=27475102 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27475102 (2025-06-28T20:19:43Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.		Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Pengendapan+uap+kimia&oldid=27475102 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27475102 (2025-06-28T20:19:43Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.

			<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 -->

Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27475102; atribusi sumber disertakan.

2026-08-28T08:52:03Z

Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27475102; atribusi sumber disertakan.

Halaman baru

'''Pengendapan uap kimia''' ([[bahasa Inggris]]: '''''chemical vapor deposition''''', '''CVD''') adalah proses [[kimia]] untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan ''microsystem''. Dalam proses ini, komponen [[gas]] bereaksi di permukaan [[Wafer (elektronik)|wafer]] dan membentuk [[Lapisan fisik|lapisan]] tipis. CVD merupakan metode pengendapan vakum yang digunakan untuk menghasilkan bahan padat berkualitas dan berkinerja tinggi. Proses ini sering digunakan dalam industri [[semikonduktor]] untuk menghasilkan [[Teknologi film tipis|film tipis]].

Pada CVD, wafer ([[Substrat (kimia)|substrat]]) akan terpapar pada satu atau lebih [[Prekursor (kimia)|prekursor]] yang mudah menguap, yang bereaksi dan/atau terurai pada permukaan substrat untuk menghasilkan endapan yang diinginkan. Sering kali, produk sampingan yang mudah menguap juga diproduksi, yang kemudian dihilangkan oleh aliran gas melalui ruang reaksi.

Proses mikrofabrikasi banyak menggunakan CVD untuk menyimpan [[Bahan|material]] dalam berbagai bentuk, antara lain: [[monokristalin]], [[polikristalin]], [[amorf]], dan [[epitaksi]]. Material-material tersebut seperti: [[silikon]] ([[Silikon dioksida|dioksida]], [[Silikon karbida|karbida]], [[Silikon nitrida|nitrida]], oksinitrida), [[karbon]] ([[serat]], serat nano, tabung nano, intan, dan [[Grafena|graphene]]), [[fluorokarbon]], filamen, [[Wolfram|tungsten]], [[titanium nitrida]], dan berbagai [[Dielektrik Tinggi-κ|dielektrik κ tinggi]].

Istilah pengendapan uap kimia ditemukan pada tahun 1960 oleh John M. Blocher, Jr. dengan tujuan membedakannya dari [[pengendapan uap fisik]] (PVD).

Energi yang digunakan untuk pemecahan dan eksitasi molekul antara lain:
* Panas: Thermal CVD
* Plasma: Plasma Enhanced CVD (PECVD)
* [[Radiasi]]: Radiation Enhanced CVD

== Jenis ==

CVD digunakan dalam berbagai cara. Proses ini umumnya berbeda dalam cara di mana reaksi kimia dimulai.
* Dikelompokkan berdasarkan kondisi pengoperasian:
** CVD tekanan atmosfer (APCVD) – CVD pada [[tekanan atmosfer]].
** CVD Tekanan Rendah (LPCVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Pengurangan tekanan cenderung mengurangi reaksi fase gas yang tidak diinginkan dan meningkatkan keseragaman film di seluruh wafer.
** Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) – CVD pada tekanan sangat rendah, biasanya di bawah 10−6 [[Pascal (unit)|Pa]] (≈ 10−8 [[torr]]).
** CVD sub-atmosfer (SACVD) – CVD pada tekanan sub-atmosfer. Menggunakan [[tetraetil ortosilikat]] (TEOS) dan [[ozon]] untuk mengisi struktur Si rasio aspek tinggi dengan [[silikon dioksida]] (SiO2).

== Penggunaan ==
CVD umumnya digunakan untuk menyimpan film konformal dan menambah permukaan substrat dengan cara yang tidak mampu dilakukan oleh teknik modifikasi permukaan yang lebih tradisional. CVD sangat berguna dalam proses [[deposisi lapisan atom]] pada pengendapan lapisan material yang sangat tipis. [[Gallium arsenide]] digunakan di beberapa [[sirkuit terintegrasi]] (IC) dan perangkat fotovoltaik. Polisilikon amorf digunakan dalam perangkat fotovoltaik. Penggunaan CVD dengan [[karbida]] dan [[nitrida]] memberikan ketahanan aus. Polymerization by CVD, perhaps the most versatile of all applications, allows for super-thin coatings which possess some very desirable qualities, such as lubricity, hydrophobicity and weather-resistance to name a few. Polimerisasi oleh CVD, mungkin yang paling banyak digunakan, proses ini memungkinkan pelapisan super tipis yang memiliki beberapa kualitas yang sangat diinginkan, seperti pelumasan, hidrofobik, dan tahan cuaca. CVD kerangka logam-organik (MOFs), jenis material nanopori kristal. Baru-baru ini peningkatan pada proses ruang bersih terintegrasi untuk substrat dengan permukaan besar. Teknik CVD juga menguntungkan untuk pelapisan membran, seperti pada desalinasi atau pengolahan air, karena pelapisan ini cukup seragam (konformal) dan tipis sehingga tidak menyumbat pori-pori membran.

==Referensi==

== Bacaan lebih lanjut ==

*
*
*
* Okada K. (2007). "Plasma-enhanced chemical vapor deposition of nanocrystalline diamond" [https://dx.doi.org/10.1016/j.stam.2007.08.008 Sci. Technol. Adv. Mater. 8, 624] ''free-download review''
* Liu T., Raabe D. and Zaefferer S. (2008). "A 3D tomographic EBSD analysis of a CVD diamond thin film" [https://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/3/035013 Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013] ''free-download''
* Wild, Christoph (2008). "CVD Diamond Properties and Useful Formula" [http://www.diamond-materials.com/downloads/cvd_diamond_booklet.pdf CVD Diamond Booklet PDF] ''free-download''
* Hess, Dennis W. (1988). [https://apps.dtic.mil/sti/pdfs/ADA204709.pdf Chemical vapor deposition of dielectric and metal films] . ''Free-download'' from Electronic Materials and Processing: Proceedings of the First Electronic Materials and Processing Congress held in conjunction with the 1988 World Materials Congress Chicago, Illinois, USA, 24–30 September 1988, Edited by Prabjit Singh (Sponsored by the Electronic Materials and Processing Division of ASM International).

== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Pengendapan+uap+kimia&oldid=27475102 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27475102 (2025-06-28T20:19:43Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.