Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

2026-08-23T10:24:10Z

Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

@@ Baris 1: / Baris 1: @@
 Dalam [[fabrikasi semikonduktor]], [[International Technology Roadmap for Semiconductors]] (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".
-Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.
+Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.<ref>[https://www.eejournal.com/article/no-more-nanometers/ No More Nanometers – EEJournal]. 23 July 2020.</ref><ref>Priyank Shukla. [https://www.design-reuse.com/articles/43316/a-brief-history-of-process-node-evolution.html A Brief History of Process Node Evolution]. ''design-reuse.com''.</ref><ref>Joel Hruska. [https://www.extremetech.com/computing/184946-14nm-7nm-5nm-how-low-can-cmos-go-it-depends-if-you-ask-the-engineers-or-the-economists 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists]. ''ExtremeTech''.</ref><ref>[https://wccftech.com/intel-losing-process-lead-analysis-7nm-2022/ Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022]. ''wccftech.com''. 2016-09-10.</ref><ref>[https://www.eejournal.com/article/life-at-10nm-or-is-it-7nm-and-3nm/ Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms]. ''eejournal.com''. 2018-03-12.</ref><ref>[https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm 10nm Technology]. TSMC.</ref><ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1425/vlsi-2018-samsungs-11nm-11lpp/ VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP]. ''WikiChip Fuse''. 2018-06-30.</ref><ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>
 Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi [[FinFET]] (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10&nbsp;nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.
@@ Baris 7: / Baris 7: @@
 ==Node proses==
 ===Foundry===
+{| class="wikitable" style="text-align:center;"
 == Lihat pula ==
@@ Baris 28: / Baris 104: @@
 == Referensi ==
+<references />
 == Sumber dan atribusi ==
 Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Proses+10+nm&oldid=29454913 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.

Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 29454913; atribusi sumber disertakan.

2026-08-23T09:48:12Z

Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 29454913; atribusi sumber disertakan.

Halaman baru

Dalam [[fabrikasi semikonduktor]], [[International Technology Roadmap for Semiconductors]] (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".

Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.

Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi [[FinFET]] (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.

==Node proses==
===Foundry===

== Lihat pula ==
* [[International Technology Roadmap for Semiconductors]]
* [[Fabrikasi semikonduktor]]
* [[Fotolitografi]]
* [[Litografi ultraviolet ekstrem]]
* [[Daftar contoh skala semikonduktor]]
* [[Litografi rendam]]
* [[ASML Holding]] pemasok sistem [[fotolitografi]] terbesar, terutama untuk industri [[semikonduktor]].
* [[Semiconductor Equipment and Materials International|SEMI]] — The semiconductor industry trade association
* [[Sirkuit terpadu]]
* [[MOSFET]]
* [[FinFET]]
* [[Multi-gate MOSFET]]
* [[CMOS]]
* [[Transistor]]
* [[Semikonduktor]]
* [[Nanometer]]

== Referensi ==

== Sumber dan atribusi ==

Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Proses+10+nm&oldid=29454913 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.

Proses 10 nm - Riwayat revisi

Maintenance script: Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi

Maintenance script: Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 29454913; atribusi sumber disertakan.