Talium(III) oksida: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 29586029; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
'''Talium(III) oksida''' adalah sebuah [[senyawa anorganik]] dari [[talium]] dan [[oksigen]] dengan [[rumus kimia]] Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Senyawa ini terdapat di alam sebagai mineral langka [[avisenit]]. Strukturnya memiliki keterkaitan dengan Mn<sub>2</sub>O<sub>3</sub> yang memiliki struktur seperti [[biksbyit]]. Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub> bersifat metalik dengan konduktivitas tinggi dan merupakan [[semikonduktor]] tipe-n yang terdegenerasi yang berpotensi digunakan dalam [[sel surya]]. Metode untuk memproduksi Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub> melalui [[Deposisi uap kimia metal organik|MOCVD]] telah diketahui. Setiap penggunaan praktis dari talium(III) oksida harus selalu memperhitungkan sifat beracun talium. Kontak dengan kelembapan dan [[asam]] dapat membentuk senyawa talium yang beracun. | [[File:Tl2O3structure.jpg|thumb|right|280px|Tl2O3structure]] | ||
'''Talium(III) oksida''' adalah sebuah [[senyawa anorganik]] dari [[talium]] dan [[oksigen]] dengan [[rumus kimia]] Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Senyawa ini terdapat di alam sebagai mineral langka [[avisenit]].<ref>http://www.handbookofmineralogy.org/pdfs/avicennite.pdf Handbook of Mineralogy</ref> Strukturnya memiliki keterkaitan dengan Mn<sub>2</sub>O<sub>3</sub> yang memiliki struktur seperti [[biksbyit]]. Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub> bersifat metalik dengan konduktivitas tinggi dan merupakan [[semikonduktor]] tipe-n yang terdegenerasi yang berpotensi digunakan dalam [[sel surya]].<ref>Phillips R. J. [https://archive.org/details/sim_journal-of-materials-research_july-august-1989_4_4/page/923 Electrochemical and photoelectrochemical deposition of Thallium(III) Oxide thin films]. ''Journal of Materials Research''. 1989. Vol. 4 (4). hlm. 923. doi:10.1557/JMR.1989.0923.</ref> Metode untuk memproduksi Tl<sub>2</sub>O<sub>3</sub> melalui [[Deposisi uap kimia metal organik|MOCVD]] telah diketahui.<ref>D. Berry. ''Thallium(III) Oxide by Organometallic Chemical Vapor Deposition''. ''Chemistry of Materials''. 1991. Vol. 3 (1). hlm. 72–77. doi:10.1021/cm00013a019.</ref> Setiap penggunaan praktis dari talium(III) oksida harus selalu memperhitungkan sifat beracun talium. Kontak dengan kelembapan dan [[asam]] dapat membentuk senyawa talium yang beracun. | |||
==Produksi== | ==Produksi== | ||
Senyawa ini diproduksi melalui reaksi talium dengan oksigen atau [[hidrogen peroksida]] dalam larutan talium(I) yang bersifat basa. Atau, senyawa ini dapat dibuat melalui oksidasi [[talium(I) nitrat]] oleh [[klorin]] dalam larutan [[kalium hidroksida]] berair. | Senyawa ini diproduksi melalui reaksi talium dengan oksigen atau [[hidrogen peroksida]] dalam larutan talium(I) yang bersifat basa. Atau, senyawa ini dapat dibuat melalui oksidasi [[talium(I) nitrat]] oleh [[klorin]] dalam larutan [[kalium hidroksida]] berair.<ref>Georg Brauer; Handbuch der präparativen anorganischen Chemie, Band 2, S.884; (dalam bahasa Jerman).</ref> | ||
== Referensi == | |||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | |||
== | Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Talium%28III%29+oksida&oldid=29586029 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29586029 (2026-08-16T02:05:11Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | ||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 29 Agustus 2026 14.02
Talium(III) oksida adalah sebuah senyawa anorganik dari talium dan oksigen dengan rumus kimia Tl2O3. Senyawa ini terdapat di alam sebagai mineral langka avisenit.[1] Strukturnya memiliki keterkaitan dengan Mn2O3 yang memiliki struktur seperti biksbyit. Tl2O3 bersifat metalik dengan konduktivitas tinggi dan merupakan semikonduktor tipe-n yang terdegenerasi yang berpotensi digunakan dalam sel surya.[2] Metode untuk memproduksi Tl2O3 melalui MOCVD telah diketahui.[3] Setiap penggunaan praktis dari talium(III) oksida harus selalu memperhitungkan sifat beracun talium. Kontak dengan kelembapan dan asam dapat membentuk senyawa talium yang beracun.
Produksi
Senyawa ini diproduksi melalui reaksi talium dengan oksigen atau hidrogen peroksida dalam larutan talium(I) yang bersifat basa. Atau, senyawa ini dapat dibuat melalui oksidasi talium(I) nitrat oleh klorin dalam larutan kalium hidroksida berair.[4]
Referensi
- ↑ http://www.handbookofmineralogy.org/pdfs/avicennite.pdf Handbook of Mineralogy
- ↑ Phillips R. J. Electrochemical and photoelectrochemical deposition of Thallium(III) Oxide thin films. Journal of Materials Research. 1989. Vol. 4 (4). hlm. 923. doi:10.1557/JMR.1989.0923.
- ↑ D. Berry. Thallium(III) Oxide by Organometallic Chemical Vapor Deposition. Chemistry of Materials. 1991. Vol. 3 (1). hlm. 72–77. doi:10.1021/cm00013a019.
- ↑ Georg Brauer; Handbuch der präparativen anorganischen Chemie, Band 2, S.884; (dalam bahasa Jerman).
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 29586029 (2026-08-16T02:05:11Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.