Galium(II) sulfida: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27543197; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
[[File:GaSstructure.jpg|thumb|right|280px|GaSstructure]] | |||
'''Galium(II) sulfida''' adalah sebuah [[senyawa anorganik]] dari [[galium]] dan [[belerang]] dengan [[rumus kimia]] GaS. Bentuk normal galium(II) sulfida yang terbuat dari unsur penyusunnya memiliki struktur lapisan heksagonal yang mengandung unit Ga<sub>2</sub><sup>4+</sup> dengan jarak Ga-Ga sebesar 248 pm.<ref>[https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium%28II%29+sulfida&oldid=27543197 sumber pada Wikipedia bahasa Indonesia]</ref> Struktur lapisan ini mirip dengan [[Galium(II) selenida|GaSe]], [[Galium(II) telurida|GaTe]], dan [[Indium(II) selenida|InSe]].<ref>[https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium%28II%29+sulfida&oldid=27543197 sumber pada Wikipedia bahasa Indonesia]</ref> Bentuk metastabil yang tidak biasa, dengan [[Keluarga kristal heksagonal#Struktur wurtzit|struktur wurtzit]] yang terdistorsi, telah dilaporkan diproduksi menggunakan [[Deposisi uap kimia metal organik|MOCVD]]. Prekursor organik logamnya adalah di-tert-butil galium ditiokarbamat, misalnya Ga<sup>t</sup>Bu<sub>2</sub>(S<sub>2</sub>CNMe<sub>2</sub>) dan ini diendapkan pada [[Galium arsenida|GaAs]]. Struktur GaS yang dihasilkan melalui cara ini kemungkinan adalah Ga<sup>2+</sup> S<sup>2<nowiki>−</nowiki></sup>.<ref>''MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS'' A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999.</ref> | |||
Lapisan tunggal galium sulfida merupakan semikonduktor dua dimensi yang stabil secara dinamis, dengan pita valensi berbentuk topi Meksiko terbalik, yang mengarah ke transisi Lifshitz seiring dengan peningkatan doping lubang.<ref>V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko. ''Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides''. ''Phys. Rev. B''. 2013. Vol. 87 (19). hlm. 195403. doi:10.1103/PhysRevB.87.195403.</ref> | |||
Galium(II) sulfida menunjukkan [[Optika nonlinear|aktivitas optik nonlinear]], termasuk [[generasi harmonik kedua]] dan [[Mikroskopi eksitasi dua foton|fluoresensi tereksitasi dua foton]].<ref>Safayet Ahmed, Ping Kwong Cheng, Junpeng Qiao, Wei Gao, Ahmed Mortuza Saleque, Md. Nahian Al Subri Ivan, Ting Wang, Tawsif Ibne Alam, Sumaiya Umme Hani, Zong Liang Guo, Siu Fung Yu, and Yuen Hong Tsang. ''Nonlinear Optical Activities in Two-Dimensional Gallium Sulfide: A Comprehensive Study''. ''ACS Nano''. 2022. Vol. 16 (8). hlm. 12390–12402. doi:10.1021/acsnano.2c03566.</ref> | |||
== Referensi == | |||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | |||
== | Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium%28II%29+sulfida&oldid=27543197 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27543197 (2025-07-14T06:41:48Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | ||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 29 Agustus 2026 14.04
Galium(II) sulfida adalah sebuah senyawa anorganik dari galium dan belerang dengan rumus kimia GaS. Bentuk normal galium(II) sulfida yang terbuat dari unsur penyusunnya memiliki struktur lapisan heksagonal yang mengandung unit Ga24+ dengan jarak Ga-Ga sebesar 248 pm.[1] Struktur lapisan ini mirip dengan GaSe, GaTe, dan InSe.[2] Bentuk metastabil yang tidak biasa, dengan struktur wurtzit yang terdistorsi, telah dilaporkan diproduksi menggunakan MOCVD. Prekursor organik logamnya adalah di-tert-butil galium ditiokarbamat, misalnya GatBu2(S2CNMe2) dan ini diendapkan pada GaAs. Struktur GaS yang dihasilkan melalui cara ini kemungkinan adalah Ga2+ S2−.[3]
Lapisan tunggal galium sulfida merupakan semikonduktor dua dimensi yang stabil secara dinamis, dengan pita valensi berbentuk topi Meksiko terbalik, yang mengarah ke transisi Lifshitz seiring dengan peningkatan doping lubang.[4]
Galium(II) sulfida menunjukkan aktivitas optik nonlinear, termasuk generasi harmonik kedua dan fluoresensi tereksitasi dua foton.[5]
Referensi
- ↑ sumber pada Wikipedia bahasa Indonesia
- ↑ sumber pada Wikipedia bahasa Indonesia
- ↑ MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999.
- ↑ V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko. Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides. Phys. Rev. B. 2013. Vol. 87 (19). hlm. 195403. doi:10.1103/PhysRevB.87.195403.
- ↑ Safayet Ahmed, Ping Kwong Cheng, Junpeng Qiao, Wei Gao, Ahmed Mortuza Saleque, Md. Nahian Al Subri Ivan, Ting Wang, Tawsif Ibne Alam, Sumaiya Umme Hani, Zong Liang Guo, Siu Fung Yu, and Yuen Hong Tsang. Nonlinear Optical Activities in Two-Dimensional Gallium Sulfide: A Comprehensive Study. ACS Nano. 2022. Vol. 16 (8). hlm. 12390–12402. doi:10.1021/acsnano.2c03566.
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 27543197 (2025-07-14T06:41:48Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.