Oksidasi lokal silikon: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27557476; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
'''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''. | '''Oksidasi lokal silikon''', dalam [[bahasa Inggris]] disebut ''Local Oxidation of Silicon'' atau disingkat '''LOCOS''', merupakan suatu proses [[fabrikasi mikro]] di mana [[silikon dioksida]] dibentuk dalam area terpilih pada [[Wafer (elektronik)|wafer]] silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO<sub>2</sub> pada titik yang lebih rendah daripada permukaan [[silikon]] secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan ''[[shallow trench isolation]]''. | ||
Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]]. | Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan [[MOSFET|transistor efek-medan semikonduktor logam oksida]] (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi [[cakap silang]] (''cross-talk'') [[transistor]]. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan [[model Deal-Grove]].<ref>M. Liu. [https://www.researchgate.net/publication/306273009 Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires]. ''Theoretical and Applied Mechanics Letters''. 2016. Vol. 6 (5). hlm. 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.</ref> | ||
== Lihat pula == | == Lihat pula == | ||
| Baris 7: | Baris 7: | ||
== Referensi == | == Referensi == | ||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | == Sumber dan atribusi == | ||
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Oksidasi+lokal+silikon&oldid=27557476 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | ||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 26 Agustus 2026 14.00
Oksidasi lokal silikon, dalam bahasa Inggris disebut Local Oxidation of Silicon atau disingkat LOCOS, merupakan suatu proses fabrikasi mikro di mana silikon dioksida dibentuk dalam area terpilih pada wafer silikon yang memiliki antarmuka Si-SiO2 pada titik yang lebih rendah daripada permukaan silikon secara keseluruhan. Pada 2008, proses ini digantikan dengan shallow trench isolation.
Teknologi ini dikembangkan untuk memisahkan transistor efek-medan semikonduktor logam oksida (MOSFET) terhadap satu sama lain dan membatasi cakap silang (cross-talk) transistor. Untuk tujuan rancangan dan analisis, oksidasi permukaan silikon dapat dimodelkan secara efektif menggunakan model Deal-Grove.[1]
Lihat pula
Referensi
- ↑ M. Liu. Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires. Theoretical and Applied Mechanics Letters. 2016. Vol. 6 (5). hlm. 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 27557476 (2025-07-16T07:34:07Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.