Deposisi uap kimia metal organik: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 28133086; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
'''Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik''' ('''MOCVD''')''',''' juga dikenal sebagai '''Epitaksi Fasa Uap Organometalik''' ('''OMVPE''') atau '''Epitaksi Fasa Uap Metalorganik''' ('''MOVPE'''), adalah suatu teknik yang digunakan dalam [[fabrikasi semikonduktor]] untuk membuat lapisan tipis material [[semikonduktor]] seperti [[Galium arsenida|gallium arsenida (GaAs)]], [[Indium gallium arsenida|indium gallium arsenida (InGaAs)]], dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia [[organometalik]] (zat kimia yang mengandung logam dan [[karbon]]) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju [[Substrat (kimia)|substrat]] yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan [[Atmosfer (satuan)|atmosfer]] gas tertentu. | [[File:MOCVDprocess.jpg|thumb|right|280px|Ilustrasi Proses]] | ||
'''Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik''' ('''MOCVD''')''',''' juga dikenal sebagai '''Epitaksi Fasa Uap Organometalik''' ('''OMVPE''') atau '''Epitaksi Fasa Uap Metalorganik''' ('''MOVPE'''),<ref>[https://web.archive.org/web/20131103075508/http://pureguard.net/cm/Application_Wizard/MOCVD_Epitaxy.html MOCVD Epitaxy (OMVPE, MOVPE, OMCVD) & Crystal Growth]. ''web.archive.org''. 2013-11-03.</ref> adalah suatu teknik yang digunakan dalam [[fabrikasi semikonduktor]] untuk membuat lapisan tipis material [[semikonduktor]] seperti [[Galium arsenida|gallium arsenida (GaAs)]], [[Indium gallium arsenida|indium gallium arsenida (InGaAs)]], dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia [[organometalik]] (zat kimia yang mengandung logam dan [[karbon]]) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju [[Substrat (kimia)|substrat]] yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan [[Atmosfer (satuan)|atmosfer]] gas tertentu. | |||
Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi [[Autonetics]] North American Aviation (kemudian [[Rockwell International]]) di [[Anaheim, California]] oleh [[Harold M. Manasevit.]] | Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi [[Autonetics]] North American Aviation (kemudian [[Rockwell International]]) di [[Anaheim, California]] oleh [[Harold M. Manasevit.]] | ||
== Referensi == | == Referensi == | ||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | |||
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Deposisi+uap+kimia+metal+organik&oldid=28133086 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 28133086 (2025-10-23T16:16:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | |||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 24 Agustus 2026 14.04
Deposisi Fasa Uap Kimia Metalorganik (MOCVD), juga dikenal sebagai Epitaksi Fasa Uap Organometalik (OMVPE) atau Epitaksi Fasa Uap Metalorganik (MOVPE),[1] adalah suatu teknik yang digunakan dalam fabrikasi semikonduktor untuk membuat lapisan tipis material semikonduktor seperti gallium arsenida (GaAs), indium gallium arsenida (InGaAs), dan sejenisnya. Teknik ini melibatkan proses kimia di mana bahan kimia organometalik (zat kimia yang mengandung logam dan karbon) diuapkan pada suhu tinggi dan diarahkan menuju substrat yang dipanaskan. Proses ini biasanya dilakukan di dalam ruang reaksi yang terkendali dengan atmosfer gas tertentu. Ini pertama kali ditunjukkan pada tahun 1967 di Divisi Autonetics North American Aviation (kemudian Rockwell International) di Anaheim, California oleh Harold M. Manasevit.
Referensi
- ↑ MOCVD Epitaxy (OMVPE, MOVPE, OMCVD) & Crystal Growth. web.archive.org. 2013-11-03.
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 28133086 (2025-10-23T16:16:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Gambar pada artikel ini bersumber dari Wikimedia Commons dan mengikuti ketentuan lisensi masing-masing berkas. Mohon gunakan konten dan media secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.