Galium indium arsenida antimonida fosfida

'Galium indium arsenida antimonida fosfida (' atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.

Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah^[1]^[2] dan sel termofotovoltaik.^[3]

Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga_0,92In_0,08P_0,05As_0,08Sb_0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.^[4]

Lihat pula

Referensi

↑ Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007)
↑ Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)
↑ Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011)
↑ Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)

Sumber dan atribusi

Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 23717577 (2023-06-20T12:33:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.

[1] Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007)

[2] Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)

[3] Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011)

[4] Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)

[1]

[2]

[3]

[4]