Lompat ke isi

Proses 10 nm

Ensiklopedia Pengetahuan Universitas Islam Sultan Agung

Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " proses 10 nanometer " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".

Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.[1][2][3][4][5][6][7][8]

Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.

Node proses

Foundry

Aturan Dasar
Perangkat Logika ITRS

(2015)

Samsung TSMC Intel
Nama proses 16/14 nm 11/10 nm 10LPE
(10 nm) 		10LPP
(10 nm) 		8LPP
(8 nm) 		8LPU
(8 nm) 		8LPA
(8 nm) 		10FF
(10 nm) 		10 nm[9] 10 nm SF
(10 nm)
Kepadatan transistor (MTr / mm2) 51.82[10] 61.18[11] ? 52.51[12] 100.76[13]
Transistor gate pitch (nm) 70 48 68 64 ? 66 54
Interconnect pitch (nm) 56 36 51 ? ? 44 36
Transistor fin pitch (nm) 42 36 42 42 ? 36 34
Transistor fin height (nm) 42 42 49 ? ? 42 53
Production year 2015 2017 [14] [15] [16]
2017 production[17]
(Cannon Lake)[18]
(Tiger Lake)[19]

Lihat pula

Referensi

  1. ↑ No More Nanometers – EEJournal. 23 July 2020.
  2. ↑ Priyank Shukla. A Brief History of Process Node Evolution. design-reuse.com.
  3. ↑ Joel Hruska. 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists. ExtremeTech.
  4. ↑ Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022. wccftech.com. 2016-09-10.
  5. ↑ Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms. eejournal.com. 2018-03-12.
  6. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  7. ↑ VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP. WikiChip Fuse. 2018-06-30.
  8. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  9. ↑ Charlie Demerjian. Intel guts 10nm to get it out the door. SemiAccurate. 2018-08-02.
  10. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  11. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  12. ↑ David Schor. TSMC Announces 6-Nanometer Process. WikiChip Fuse. 2019-04-16.
  13. ↑ Intel 10nm density is 2.7X improved over its 14nm node. HEXUS.
  14. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  15. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  16. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  17. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  18. ↑ Ian Cutress. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!. AnandTech. July 26, 2021.
  19. ↑ What Products Use Intel 10nm? SuperFin and 10++ Demystified.

Sumber dan atribusi

Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.


Diperoleh dari "https://wiki.unissula.ac.id/index.php?title=Proses_10_nm&oldid=1767"