Silikon–germanium
SiGe ( atau ), atau silikon–germanium, merupakan paduan dengan rasio molar silikon dan germanium berapa pun, yaitu dengan rumus molekul berbentuk Si1−xGex. Ini biasanya digunakan sebagai bahan semikonduktor dalam sirkuit terpadu (IC) untuk transistor bipolar heterojungsi atau sebagai lapisan penginduksi regangan untuk transistor CMOS. IBM memperkenalkan teknologi ini ke dalam manufaktur arus utama pada tahun 1989. Teknologi yang relatif baru ini menawarkan peluang dalam desain dan manufaktur sirkuit sinyal campuran dan sirkuit analog. SiGe juga digunakan sebagai bahan termoelektrik untuk aplikasi suhu tinggi (>700 K).[1][2][3][4][5]
Lihat pula
Referensi
- ↑ Ouellette, Jennifer (June/July 2002). "Silicon–Germanium Gives Semiconductors the Edge". , The Industrial Physicist.
- ↑ Bernard S. Meyerson. High-Speed Silicon-Germanium Electronics. Scientific American. March 1994. Vol. 270 (3). hlm. 62–67. doi:10.1038/scientificamerican0394-62.
- ↑ Egbert Woelk. Designing novel organogermanium OMVPE precursors for high-purity germanium films. Journal of Crystal Growth. January 2006. Vol. 287 (2). hlm. 684–687. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.10.094.
- ↑ Deo V. Shenai. Safer alternative liquid germanium precursors for relaxed graded SiGe layers and strained silicon by MOVPE. Journal of Crystal Growth. January 2007. Vol. 298. hlm. 172–175. doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.194.
- ↑ John Markoff. IBM Discloses Working Version of a Much Higher-Capacity Chip. The New York Times. 9 July 2015.
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 26877155 (2025-02-03T01:34:46Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.