Galium(I) oksida: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 27514799; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 2: | Baris 2: | ||
==Produksi== | ==Produksi== | ||
Galium(I) oksida dapat diproduksi dengan mereaksikan [[galium(III) oksida]] dengan [[galium]] yang dipanaskan dalam ruang hampa: | Galium(I) oksida dapat diproduksi dengan mereaksikan [[galium(III) oksida]] dengan [[galium]] yang dipanaskan dalam ruang hampa:<ref>Brauer, Georg. ''Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie''. F. Enke. 1975. Vol. 3. hlm. 857. ISBN 3-432-02328-6.</ref> | ||
:<math>\mathrm{Ga_2 O_3 + 4 \ Ga \longrightarrow 3 \ Ga_2 O}</math> | :<math>\mathrm{Ga_2 O_3 + 4 \ Ga \longrightarrow 3 \ Ga_2 O}</math> | ||
Galium(I) oksida juga dapat diperoleh dengan mereaksikan galium dengan [[karbon dioksida]] dalam ruang hampa pada suhu 850 °C. | Galium(I) oksida juga dapat diperoleh dengan mereaksikan galium dengan [[karbon dioksida]] dalam ruang hampa pada suhu 850 °C.<ref>Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. ''Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry''. Academic Press. 1963. Vol. 5. hlm. 94. ISBN 008057854-3.</ref> | ||
:<math>\mathrm{2 \ Ga + CO_2 \longrightarrow Ga_2O + CO}</math> | :<math>\mathrm{2 \ Ga + CO_2 \longrightarrow Ga_2O + CO}</math> | ||
Galium(I) oksida merupakan produk sampingan dalam produksi wafer [[galium arsenida]]: | Galium(I) oksida merupakan produk sampingan dalam produksi wafer [[galium arsenida]]:<ref>Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard. ''Silicon: Evolution and Future of a Technology''. Springer. 2004. hlm. 439. ISBN 354040546-1.</ref><ref>Chou, L. -J. ''Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD)''. The Electrochemical Society. 2007. hlm. 47. ISBN 978-156677574-8.</ref> | ||
:<math>\mathrm{4 \ Ga + SiO_2 \longrightarrow 2 \ Ga_2O + Si}</math> | :<math>\mathrm{4 \ Ga + SiO_2 \longrightarrow 2 \ Ga_2O + Si}</math> | ||
==Sifat== | ==Sifat== | ||
Galium(I) oksida merupakan padatan [[diamagnetisme|diamagnetik]] berwarna cokelat kehitaman yang tahan terhadap oksidasi lebih lanjut di udara kering. Galium(I) oksida mulai terurai setelah dipanaskan pada suhu di atas 500 °C, dan laju penguraiannya bergantung pada atmosfer (ruang hampa, gas lengai, udara). | Galium(I) oksida merupakan padatan [[diamagnetisme|diamagnetik]] berwarna cokelat kehitaman yang tahan terhadap oksidasi lebih lanjut di udara kering. Galium(I) oksida mulai terurai setelah dipanaskan pada suhu di atas 500 °C, dan laju penguraiannya bergantung pada atmosfer (ruang hampa, gas lengai, udara).<ref>Brauer, Georg. ''Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie''. F. Enke. 1975. Vol. 3. hlm. 857. ISBN 3-432-02328-6.</ref> | ||
== Referensi == | |||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | == Sumber dan atribusi == | ||
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium%28I%29+oksida&oldid=27514799 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27514799 (2025-07-09T00:53:36Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium%28I%29+oksida&oldid=27514799 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 27514799 (2025-07-09T00:53:36Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | ||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 29 Agustus 2026 14.06
Galium(I) oksida, digalium monoksida, atau galium suboksida adalah sebuah senyawa anorganik dengan rumus kimia Ga2O.
Produksi
Galium(I) oksida dapat diproduksi dengan mereaksikan galium(III) oksida dengan galium yang dipanaskan dalam ruang hampa:[1]
Galium(I) oksida juga dapat diperoleh dengan mereaksikan galium dengan karbon dioksida dalam ruang hampa pada suhu 850 °C.[2]
Galium(I) oksida merupakan produk sampingan dalam produksi wafer galium arsenida:[3][4]
Sifat
Galium(I) oksida merupakan padatan diamagnetik berwarna cokelat kehitaman yang tahan terhadap oksidasi lebih lanjut di udara kering. Galium(I) oksida mulai terurai setelah dipanaskan pada suhu di atas 500 °C, dan laju penguraiannya bergantung pada atmosfer (ruang hampa, gas lengai, udara).[5]
Referensi
- ↑ Brauer, Georg. Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. F. Enke. 1975. Vol. 3. hlm. 857. ISBN 3-432-02328-6.
- ↑ Emeléus, H. J. and Sharpe, A. G. Advances in Inorganic Chemistry and Radiochemistry. Academic Press. 1963. Vol. 5. hlm. 94. ISBN 008057854-3.
- ↑ Siffert, Paul and Krimmel, Eberhard. Silicon: Evolution and Future of a Technology. Springer. 2004. hlm. 439. ISBN 354040546-1.
- ↑ Chou, L. -J. Nanoscale One-dimensional Electronic and Photonic Devices (NODEPD). The Electrochemical Society. 2007. hlm. 47. ISBN 978-156677574-8.
- ↑ Brauer, Georg. Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. F. Enke. 1975. Vol. 3. hlm. 857. ISBN 3-432-02328-6.
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 27514799 (2025-07-09T00:53:36Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.