Galium indium arsenida antimonida fosfida: Perbedaan antara revisi
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 23717577; atribusi sumber disertakan. |
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi |
||
| Baris 1: | Baris 1: | ||
'''Galium indium arsenida antimonida fosfida''' ('''''' atau '''GaInPAsSb''') adalah sebuah [[semikonduktor|bahan semikonduktor]]. | '''Galium indium arsenida antimonida fosfida''' ('''''' atau '''GaInPAsSb''') adalah sebuah [[semikonduktor|bahan semikonduktor]]. | ||
Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan [[dioda pemancar cahaya]] inframerah menengah dan sel [[konversi energi termofotovoltaik|termofotovoltaik]]. | Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan [[dioda pemancar cahaya]] inframerah menengah<ref>Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007)</ref><ref>Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)</ref> dan sel [[konversi energi termofotovoltaik|termofotovoltaik]].<ref>Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011)</ref> | ||
Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan [[epitaksi|heteroepitaksi]] pada [[indium arsenida]], [[galium antimonida]], dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar [[konstanta kisi|kisi-kisinya serasi]]. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan [[celah pita]]nya. Misalnya, Ga<sub>0,92</sub>In<sub>0,08</sub>P<sub>0,05</sub>As<sub>0,08</sub>Sb<sub>0,87</sub> adalah kisi yang cocok dengan InAs. | Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan [[epitaksi|heteroepitaksi]] pada [[indium arsenida]], [[galium antimonida]], dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar [[konstanta kisi|kisi-kisinya serasi]]. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan [[celah pita]]nya. Misalnya, Ga<sub>0,92</sub>In<sub>0,08</sub>P<sub>0,05</sub>As<sub>0,08</sub>Sb<sub>0,87</sub> adalah kisi yang cocok dengan InAs.<ref>Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)</ref> | ||
==Lihat pula== | ==Lihat pula== | ||
* [[Aluminium galium fosfida]] | * [[Aluminium galium fosfida]] | ||
| Baris 10: | Baris 10: | ||
* [[Indium arsenida antimonida fosfida]] | * [[Indium arsenida antimonida fosfida]] | ||
* [[Indium galium arsenida antimonida]] | * [[Indium galium arsenida antimonida]] | ||
== Referensi == | |||
<references /> | |||
== Sumber dan atribusi == | == Sumber dan atribusi == | ||
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium+indium+arsenida+antimonida+fosfida&oldid=23717577 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 23717577 (2023-06-20T12:33:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Galium+indium+arsenida+antimonida+fosfida&oldid=23717577 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 23717577 (2023-06-20T12:33:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku. | ||
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 --> | |||
Revisi terkini sejak 27 Agustus 2026 03.58
'Galium indium arsenida antimonida fosfida (' atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.
Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah[1][2] dan sel termofotovoltaik.[3]
Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga0,92In0,08P0,05As0,08Sb0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.[4]
Lihat pula
- Aluminium galium fosfida
- Aluminium galium indium fosfida
- Indium galium arsenida fosfida
- Indium arsenida antimonida fosfida
- Indium galium arsenida antimonida
Referensi
- ↑ Room temperature midinfrared electroluminescence from GaInAsSbP light emitting diodes, A. Krier, V. M. Smirnov, P. J. Batty, V. I. Vasil’ev, G. S. Gagis, and V. I. Kuchinskii, Appl. Phys. Lett. vol. 90 pp. 211115 (2007)
- ↑ Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)
- ↑ Low Bandgap GaInAsSbP Pentanary Thermophotovoltaic Diodes, K. J. Cheetham, P. J. Carrington, N. B. Cook and A. Krier, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95 pp. 534-537 (2011)
- ↑ Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics, M. Aidaraliev, N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov and E. A. Kognovitskaya, Semiconductors vol. 36 num. 8 pp. 944-949 (2002)
Sumber dan atribusi
Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 23717577 (2023-06-20T12:33:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.