Lompat ke isi

Proses 10 nm: Perbedaan antara revisi

Ensiklopedia Pengetahuan Universitas Islam Sultan Agung

Maintenance script (bicara | kontrib)

37.956 suntingan
Maintenance script (bicara | kontrib)
37.956 suntingan
Impor teks terkontrol dari Wikipedia bahasa Indonesia; revisi 29454913; atribusi sumber disertakan.
 
Maintenance script (bicara | kontrib)
37.956 suntingan
Presentation V4: sitasi, referensi, Math, Wikimedia Commons, dan atribusi
 
Baris 1: Baris 1:
Dalam [[fabrikasi semikonduktor]], [[International Technology Roadmap for Semiconductors]] (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".
Dalam [[fabrikasi semikonduktor]], [[International Technology Roadmap for Semiconductors]] (ITRS) mendefinisikan " '''proses 10 nanometer''' " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".


Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.
Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.<ref>[https://www.eejournal.com/article/no-more-nanometers/ No More Nanometers – EEJournal]. 23 July 2020.</ref><ref>Priyank Shukla. [https://www.design-reuse.com/articles/43316/a-brief-history-of-process-node-evolution.html A Brief History of Process Node Evolution]. ''design-reuse.com''.</ref><ref>Joel Hruska. [https://www.extremetech.com/computing/184946-14nm-7nm-5nm-how-low-can-cmos-go-it-depends-if-you-ask-the-engineers-or-the-economists 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists]. ''ExtremeTech''.</ref><ref>[https://wccftech.com/intel-losing-process-lead-analysis-7nm-2022/ Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022]. ''wccftech.com''. 2016-09-10.</ref><ref>[https://www.eejournal.com/article/life-at-10nm-or-is-it-7nm-and-3nm/ Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms]. ''eejournal.com''. 2018-03-12.</ref><ref>[https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm 10nm Technology]. TSMC.</ref><ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1425/vlsi-2018-samsungs-11nm-11lpp/ VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP]. ''WikiChip Fuse''. 2018-06-30.</ref><ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>


Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi [[FinFET]] (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10&nbsp;nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.
Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi [[FinFET]] (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10&nbsp;nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.
Baris 7: Baris 7:
==Node proses==
==Node proses==
===Foundry===
===Foundry===
 
{| class="wikitable" style="text-align:center;"
!
! colspan="2" | Aturan Dasar<br />Perangkat Logika ITRS
(2015)
! colspan="5" | [[Samsung Electronics|Samsung]]
! [[TSMC]]
! colspan="2" | [[Intel]]
|-
! style="text-align:left;" | Nama proses
| 16/14&nbsp;nm
| 11/10&nbsp;nm
| 10LPE<br />(10&nbsp;nm)
| 10LPP<br />(10&nbsp;nm)
| 8LPP<br />(8&nbsp;nm)
| 8LPU<br />(8&nbsp;nm)
| 8LPA<br />(8&nbsp;nm)
| 10FF<br />(10&nbsp;nm)
| 10&nbsp;nm<ref>Charlie Demerjian. [https://semiaccurate.com/2018/08/02/intel-guts-10nm-to-get-it-out-the-door/ Intel guts 10nm to get it out the door]. ''SemiAccurate''. 2018-08-02.</ref>
| 10&nbsp;nm SF<br />(10&nbsp;nm)
|-
!Kepadatan transistor (MTr / mm<sup>2</sup>)
|
|
|colspan="2" | 51.82<ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>
|colspan="2" | 61.18<ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>
| ?
|52.51<ref>David Schor. [https://fuse.wikichip.org/news/2261/tsmc-announces-6-nanometer-process/ TSMC Announces 6-Nanometer Process]. ''WikiChip Fuse''. 2019-04-16.</ref>
|colspan="2" |100.76<ref>[https://hexus.net/tech/news/cpu/119699-intel-10nm-density-27x-improved-14nm-node/ Intel 10nm density is 2.7X improved over its 14nm node]. ''HEXUS''.</ref>
|-
! style="text-align:left;" | Transistor gate pitch (nm)
| 70
| 48
| colspan="2" | 68
| colspan="2" | 64
| ?
| 66
| colspan="2" | 54
|-
! style="text-align:left;" | Interconnect pitch (nm)
| 56
| 36
| colspan="2" | 51
| colspan="2" | ?
| ?
| 44
| colspan="2" | 36
|-
! style="text-align:left;" | Transistor fin pitch (nm)
| 42
| 36
| colspan="2" | 42
| colspan="2" | 42
| ?
| 36
| colspan="2" | 34
|-
! style="text-align:left;" | Transistor fin height (nm)
| 42
| 42
| colspan="2" | 49
| colspan="2" | ?
| ?
| 42
| colspan="2" | 53
|-
! style="text-align:left;" | Production year
| 2015
| 2017
| <ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>
| <ref>[https://fuse.wikichip.org/news/1443/vlsi-2018-samsungs-8nm-8lpp-a-10nm-extension/ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension]. ''WikiChip Fuse''. 2018-07-01.</ref>
|
|
|
| <ref>[https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm 10nm Technology]. TSMC.</ref><br />2017 production<ref>[https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/10nm.htm 10nm Technology]. TSMC.</ref>
|  <br />([[Cannon Lake (microarchitecture)|Cannon Lake]])<ref>Ian Cutress. [https://www.anandtech.com/show/16823/intel-accelerated-offensive-process-roadmap-updates-to-10nm-7nm-4nm-3nm-20a-18a-packaging-foundry-emib-foveros Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!]. ''AnandTech''. July 26, 2021.</ref>
|  <br />([[Tiger Lake]])<ref>[https://www.anandtech.com/show/16107/what-products-use-intel-10nm-superfin-demystified/3 What Products Use Intel 10nm? SuperFin and 10++ Demystified].</ref>
|}


== Lihat pula ==
== Lihat pula ==
Baris 28: Baris 104:


== Referensi ==
== Referensi ==
 
<references />
 


== Sumber dan atribusi ==
== Sumber dan atribusi ==


Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Proses+10+nm&oldid=29454913 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.
Konten artikel ini diadaptasi dari [https://id.wikipedia.org/w/index.php?title=Proses+10+nm&oldid=29454913 Wikipedia bahasa Indonesia], revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.
<!-- WIKI_UNISSULA_PRESENTATION_V4 -->

Revisi terkini sejak 23 Agustus 2026 10.24

Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " proses 10 nanometer " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".

Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.[1][2][3][4][5][6][7][8]

Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.

Node proses

Foundry

Aturan Dasar
Perangkat Logika ITRS

(2015)

Samsung TSMC Intel
Nama proses 16/14 nm 11/10 nm 10LPE
(10 nm) 		10LPP
(10 nm) 		8LPP
(8 nm) 		8LPU
(8 nm) 		8LPA
(8 nm) 		10FF
(10 nm) 		10 nm[9] 10 nm SF
(10 nm)
Kepadatan transistor (MTr / mm2) 51.82[10] 61.18[11] ? 52.51[12] 100.76[13]
Transistor gate pitch (nm) 70 48 68 64 ? 66 54
Interconnect pitch (nm) 56 36 51 ? ? 44 36
Transistor fin pitch (nm) 42 36 42 42 ? 36 34
Transistor fin height (nm) 42 42 49 ? ? 42 53
Production year 2015 2017 [14] [15] [16]
2017 production[17]
(Cannon Lake)[18]
(Tiger Lake)[19]

Lihat pula

Referensi

  1. ↑ No More Nanometers – EEJournal. 23 July 2020.
  2. ↑ Priyank Shukla. A Brief History of Process Node Evolution. design-reuse.com.
  3. ↑ Joel Hruska. 14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists. ExtremeTech.
  4. ↑ Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022. wccftech.com. 2016-09-10.
  5. ↑ Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms. eejournal.com. 2018-03-12.
  6. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  7. ↑ VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP. WikiChip Fuse. 2018-06-30.
  8. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  9. ↑ Charlie Demerjian. Intel guts 10nm to get it out the door. SemiAccurate. 2018-08-02.
  10. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  11. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  12. ↑ David Schor. TSMC Announces 6-Nanometer Process. WikiChip Fuse. 2019-04-16.
  13. ↑ Intel 10nm density is 2.7X improved over its 14nm node. HEXUS.
  14. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  15. ↑ VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension. WikiChip Fuse. 2018-07-01.
  16. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  17. ↑ 10nm Technology. TSMC.
  18. ↑ Ian Cutress. Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!. AnandTech. July 26, 2021.
  19. ↑ What Products Use Intel 10nm? SuperFin and 10++ Demystified.

Sumber dan atribusi

Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 29454913 (2026-07-13T23:49:37Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.


Diperoleh dari "https://wiki.unissula.ac.id/index.php?title=Proses_10_nm&oldid=1767"