Silikon–germanium

SiGe ( atau ), atau silikon–germanium, merupakan paduan dengan rasio molar silikon dan germanium berapa pun, yaitu dengan rumus molekul berbentuk Si_1−xGe_x. Ini biasanya digunakan sebagai bahan semikonduktor dalam sirkuit terpadu (IC) untuk transistor bipolar heterojungsi atau sebagai lapisan penginduksi regangan untuk transistor CMOS. IBM memperkenalkan teknologi ini ke dalam manufaktur arus utama pada tahun 1989. Teknologi yang relatif baru ini menawarkan peluang dalam desain dan manufaktur sirkuit sinyal campuran dan sirkuit analog. SiGe juga digunakan sebagai bahan termoelektrik untuk aplikasi suhu tinggi (>700 K).

Lihat pula

• Silikon
• Germanium
• Semikonduktor
• Sirkuit terpadu

Sumber dan atribusi

Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 26877155 (2025-02-03T01:34:46Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.