Galium indium arsenida antimonida fosfida

'Galium indium arsenida antimonida fosfida (' atau GaInPAsSb) adalah sebuah bahan semikonduktor.

Penelitian telah menunjukkan bahwa GaInAsSbP dapat digunakan dalam pembuatan dioda pemancar cahaya inframerah menengah dan sel termofotovoltaik.

Lapisan GaInAsSbP dapat ditumbuhkan dengan heteroepitaksi pada indium arsenida, galium antimonida, dan bahan lainnya. Komposisi yang tepat dapat disetel agar kisi-kisinya serasi. Kehadiran lima unsur dalam paduan ini memungkinkan derajat kebebasan ekstra, sehingga memungkinkan untuk memperbaiki konstanta kisinya sambil memvariasikan celah pitanya. Misalnya, Ga_0,92In_0,08P_0,05As_0,08Sb_0,87 adalah kisi yang cocok dengan InAs.

Lihat pula

• Aluminium galium fosfida
• Aluminium galium indium fosfida
• Indium galium arsenida fosfida
• Indium arsenida antimonida fosfida
• Indium galium arsenida antimonida

Sumber dan atribusi

Konten artikel ini diadaptasi dari Wikipedia bahasa Indonesia, revisi 23717577 (2023-06-20T12:33:49Z), yang tersedia berdasarkan lisensi Creative Commons Atribusi-BerbagiSerupa (CC BY-SA). Mohon gunakan konten ini secara bijak serta sesuai dengan ketentuan lisensi yang berlaku.